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2024-11-17 172
近日,中国电科55所与一汽联合推动碳化硅功率器件及模组科技创新,研发的首款750V碳化硅功率芯片完成样品流片,首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。
碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表,在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率等指标具有显著优势,可满足现代工业对高功率、高电压、高频率的需求,下游应用领域包括智能电网、新能源汽车、光伏风电、5G通信等。机构分析指出,碳化硅下游需求不断扩大,百亿市场空间可期。据测算,2025年全球碳化硅衬底市场需求达188.4亿元,碳化硅器件市场需求达627.8亿元。
据财联社主题库显示,相关上市公司中:
麦格米特参股公司瞻芯电子致力于碳化硅功率器件与配套芯片的产业化,是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiCMOSFET产品以及工艺平台的公司。
盛美上海推出了6/8寸化合物半导体湿法工艺产品线,以支持化合物半导体领域的工艺应用,包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)等。
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以上就是好财梯网整理的关于中电科55所碳化硅芯片样品流片(第三代半导体SIC行业投资机会分析:10年20倍成长)的全部内容,希望你在了解【今日财经:#第三代半导体百亿市场空间可期#解读】的基础上可以帮助到你,让我们一起学习理财知识。
标签: 中电科55所碳化硅芯片样品流片
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